厚纪观察 | DRAM的盈利能力，能否超过HBM？

若HBM产能吃紧持续，DRAM的需求加速恢复，DRAM的获利能力可能会超越HBM。

动态随机存取存储器（DRAM）价格在 2020 年疫情爆发前，在 3 美元左右波动。即便在当年 3 月至 6 月，DDR4 8Gb 的价格也只是涨到 3.5 美元，甚至在 2020 年下半年又回落到 3 美元以下。直到 2021 年全球供应链出现瓶颈，价格从低于 3 美元一路涨破 5 美元，之后便进入下跌走势，一直跌到 2023 年 7 月的 1.5 美元附近才止住跌势。

传统旺季已连续五年不旺，AI 功能升级换机潮迟早会来。

经过两年的去库存，厂商对今年的传统旺季不敢过于乐观。再加上各国都陷入消费降级的困境，整体消费动力复苏缓慢，厂商回补库存的力度也相对谨慎。以至于今年 9 月 DDR4 8Gb 的价格也不过是 1.72 美元。从这一点可以看出，今年第三季度的传统旺季已是连续第五年不旺。

但消费端需求有待提振。因为 AI 电脑与 AI 手机是第一年推出，大多数消费者并不急于换机，而是等待更多 AI 商用应用成熟后再换机。在过往新机型迭代的过程中也能看到类似轨迹。所以，无论是厂商还是股市，对于 AI 电脑与 AI 手机的换机潮预期并没有出现很大落差。因为大家都知道，总有一天，大多数个人电子设备都将具备 AI 功能，换机潮迟早会来。

商用会比消费性换机潮先来，英伟达营收连续五季翻倍增长。

从过往经验可知，商用换机潮会比消费性换机潮先出现。此次由生成式 AI 带动的北美云服务提供商（CSP）的 AI 基础设施建设也是如此。仅从今年 2 月公布的数据来看，亚马逊、微软、谷歌与 Meta 等四大 CSP 今年的资本支出总和就达到 2271.8 亿美元，推动英伟达的营收连续五个季度翻倍增长。

而 AI 服务器不仅受益于英伟达的图形处理器（GPU），还需要 SK 海力士的高带宽存储器（HBM）搭配。HBM 的发明源于芯片厂商希望将存储器和处理器（包括中央处理器 CPU 和图形处理器 GPU）都集成在一颗芯片中。这样一来，存储器与处理器的距离比以前更近，效能得以大幅提升。虽然 AI 服务器所需的存储量是传统服务器的五到六倍。

但是 HBM 与一般 DRAM 之间并不存在取代关系，而是因应用需求不同而衍生出的技术。所以之前有观点认为 HBM 产能吃紧对 DDR 系列的价格有帮助，但经过第三季度传统旺季之后，这种声音已经不存在了。

HBM 产能吃紧，不仅是因为需求旺盛，更重要的是良率不高。关键在于采用硅穿孔（TSV）取代传统封装的导线架。由于硅穿孔要将每一片 DRAM 晶圆叠齐后再进行切割，不仅切割时不能移位，还要精准对齐硅穿孔才能导电，因此技术要求非常精细，所以良率提升不明显。据传台积电正在研究解决方案，可能用激光取代。

定制化低功耗 HBM 良率不高，目前 HBM3 SK 海力士市占逾九成。

9 月 13 日，我国公布八月份信息与通信技术（ICT）进出口统计数据显示，受益于 HBM 等高附加值产品需求增加，八月份半导体出口量较去年同期增长 37.6%。2024 年能够生产 HBM 的厂商仅三家，其中SK 海力士约有 52% 的市场占有率，三星占 42.4%，美光约 5%。若以现阶段主流产品 HBM3 产品来看，目前 SK 海力士在 HBM3 市场的比重超过九成。

随着 HBM 堆叠层数的增加，技术要求也相对提高，这对 SK 海力士、三星与美光来说是件好事。不过，在生成式 AI 趋势一片看好的环境下，9 月 15 日摩根士丹利却看空存储器产业，主要观点在于信息技术（IT）产业的疲软，除了 AI 服务器之外，个人电脑与智能手机的需求长期停滞，拖累了半导体产业。

摩根士丹利预期 2025 年初开始，DRAM 价格将下跌并导致存储器产业的不景气，预估 SK 海力士 DRAM 平均售价将在 2025 年下跌 7.7%，到 2026 年下降 25%。此外，摩根士丹利还预测 HBM 将出现供过于求的情况。

对此，SK 海力士持不同观点：“过去投资增加可能会引发供给过剩的担忧，但考虑到 HBM 的晶圆尺寸和较低的生产效率，市场的结构性和量产特性与 DRAM 不同，不能简单地用投资增加等于供给过剩的逻辑来看待。根据客户要求，HBM3e 每年需要改善性能，如果将芯片堆叠层数从八层提升到十二层，生产效率将进一步受限制。而在 HBM4 之前的芯片堆叠只是为了连接 GPU 与 DRAM 产生作用，但从 2026 年进入 HBM4 世代开始，它可以定制化客户所需的低功耗等功能，对工艺的要求难度更高，这造成了产量提升的限制。”

SK 海力士表示，如果 HBM 产能吃紧持续，且 DRAM 的需求加速恢复，那么 DRAM 的获利能力可能会超越 HBM。

以上内容转自公众号平台@半导体产业纵横